1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。

1.2基片substrate：膜層承受體。

1.3試驗基片testingsubstrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和(或)試驗的基片。

1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來制取膜層的原材料。

1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial：在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。

1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。

1.7膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial：組成膜層的材料。

1.8蒸發(fā)速率evaporationrate：在給定時間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來的材料量,除以該時間間隔

1.9濺射速率sputteringrate：在給定時間間隔內(nèi),濺射出來的材料量,除以該時間間隔。

1.10沉積速率depositionrate：在給定時間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。

1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

2工藝

2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。

2.1.1同時蒸發(fā)simultaneousevaporation：用數(shù)個蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。

2.1.2蒸發(fā)場蒸發(fā)evaporationfieldevaporation：由蒸發(fā)場同時蒸發(fā)的材料到基片上進行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。

2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporation：通過與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。

2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。

2.1.5直接加熱的蒸發(fā)directheatingevaporation：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。

2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation：蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。

2.1.7電子束蒸發(fā)electronbeamevaporation：通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。

2.1.8激光束蒸發(fā)laserbeamevaporation：通過激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

2.1.9間接加熱的蒸發(fā)indirectheatingevaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過熱傳導(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。

2.1.10閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時的蒸發(fā)。

2.2真空濺射vacuumsputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團的過程。

2.2.1反應(yīng)性真空濺射reactivevacuumsputtering：通過與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射。

2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

2.2.3直流二級濺射directcurrentdiodesputtering：通過二個電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

2.2.4非對稱性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個電極間的非對稱性交流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。

2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

2.2.7熱陰極高頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電產(chǎn)生的離子，在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering：利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning：利用輝光放電原理，使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過程。

2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition：在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

2.4化學(xué)氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition：一定化學(xué)配比的反應(yīng)氣體，在特定激活條件下(通常是一定高的溫度)，通過氣相化學(xué)反應(yīng)生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。

2.5磁控濺射magnetronsputtering：借助于靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，來增強電離效率，增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。

2.6等離子體化學(xué)氣相沉積;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通過放電產(chǎn)生的等離子體促進氣相化學(xué)反應(yīng)，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。

2.7空心陰極離子鍍HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心陰極發(fā)射大量的電子束，使坩堝內(nèi)鍍膜材料蒸發(fā)并電離，在基片上的負(fù)偏壓作用下，離子具有較大能量，沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。

2.8電弧離子鍍arcdischargedeposition：以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發(fā)裝置，使靶表面產(chǎn)生弧光放電，鍍膜材料在電弧作用下，產(chǎn)生無熔池蒸發(fā)并沉積在基片上的一種真空鍍膜方法。

3專用部件

3.1鍍膜室coatingchamber：真空鍍膜設(shè)備中實施實際鍍膜過程的部件

3.2蒸發(fā)器裝置evaporatordevice：真空鍍膜設(shè)備中包括蒸發(fā)器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供給、供料和冷卻裝置等)在內(nèi)的部件。

3.3蒸發(fā)器evaporator：蒸發(fā)直接在其內(nèi)進行蒸發(fā)的裝置,例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等等,必要時還包括蒸發(fā)材料本身。

3.4直接加熱式蒸發(fā)器evaporatorbydirectheat：蒸發(fā)材料本身被加熱的蒸發(fā)器。

3.5間接加熱式蒸發(fā)器evaporatorbyindirectheat：蒸發(fā)材料通過熱傳導(dǎo)或熱輻射被加熱的蒸發(fā)器。

3.6蒸發(fā)場evaporationfield：由數(shù)個排列的蒸發(fā)器加熱相同蒸發(fā)材料形成的場。

3.7濺射裝置sputteringdevice：包括靶和濺射所必要的輔助裝置(例如供電裝置,氣體導(dǎo)入裝置等)在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件。

3.8靶target：用粒子轟擊的面。本標(biāo)準(zhǔn)中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電極。

3.9擋板shutter：用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達(dá)到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動的。

3.10時控?fù)醢錿imingshutter：在時間上能用來限制鍍膜,因此從鍍膜的開始、中斷到結(jié)束都能按規(guī)定時刻進行的裝置。

3.11掩膜mask：用來遮蓋部分基片,在空間上能限制鍍膜的裝置。

3.12基片支架substrateholder：可直接夾持基片的裝置,例如夾持裝置,框架和類似的夾持器具。

3.13夾緊裝置clamp：在鍍膜設(shè)備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置,例如夾盤,夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的(旋轉(zhuǎn)架,行星齒輪系等)。

3.14換向裝置reversingdevice：在真空鍍膜設(shè)備中,不打開設(shè)備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器,試驗玻璃換向器,掩膜換向器)。

3.15基片加熱裝置substrateheatingdevice：在真空鍍膜設(shè)備中,通過加熱能使一個基片或幾個基片達(dá)到理想溫度的裝置。

3.16基片冷卻裝置substratecoldingdevice：在真空鍍膜設(shè)備中,通過冷卻能使一個基片或幾個基片達(dá)到理想溫度的裝置。

4真空鍍膜設(shè)備

4.1真空鍍膜設(shè)備vacuumcoatingplant：在真空狀態(tài)下制取膜層的設(shè)備。

4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸發(fā)進行真空鍍膜的設(shè)備。

4.1.2真空濺射鍍膜設(shè)備vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空濺射進行真空鍍膜的設(shè)備。

4.2連續(xù)鍍膜設(shè)備continuouscoatingplant：被鍍膜物件(單件或帶材)連續(xù)地從大氣壓經(jīng)過壓力梯段進入到一個或數(shù)個鍍膜室，再經(jīng)過相應(yīng)的壓力梯段，繼續(xù)離開設(shè)備的連續(xù)式鍍膜設(shè)備。

4.3半連續(xù)鍍膜設(shè)備semi-continuouscoatingplant：被鍍物件通過閘門送進鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設(shè)備。